PSRAM與Nor Flash的區(qū)別!
存儲(chǔ)類型
| PSRAM | Nor FLASH |
工作原理 | 基于電容 存儲(chǔ)單元=1晶體管+1電容 | 基于浮柵晶體管 |
數(shù)據(jù)易失性 | 易失性 | 非易失性 |
主要用途 | 臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)(運(yùn)行內(nèi)存) | 長(zhǎng)期存儲(chǔ)代碼、固件 |
訪問(wèn)方式 | 支持高速隨機(jī)讀寫 | 隨機(jī)讀取,按塊寫入/擦除 |
接口復(fù)雜度 | 簡(jiǎn)單(類似SRAM) | 可能需要SPI、并行接口 |
讀寫速度 | 較快(10ns-20ns) | 讀取快,寫入/擦除慢(毫秒級(jí)) |
容量 | 中等(幾十Mb~幾百M(fèi)b) | 較小(幾Mb到幾Gb) |
功耗 | 中等,介于SRAM和DRAM之間 | 讀取功耗低,寫入功耗高 |
成本 | 中等,介于SRAM和DRAM之間 | 較高(按容量計(jì),高于Nand Flash) |
壽命 | 無(wú)限次讀寫 | 有限次數(shù) |
應(yīng)用場(chǎng)景 | 移動(dòng)設(shè)備運(yùn)行內(nèi)存擴(kuò)展(輔助緩存)較大容量RAM但接口復(fù)雜受限的移動(dòng)設(shè)備(智能手表) | IoT設(shè)備固件存儲(chǔ)嵌入式系統(tǒng)啟動(dòng)代碼(如STM32的Bootloader) |
兩者互補(bǔ)性較強(qiáng),常共存于同一系統(tǒng),如PSRAM運(yùn)行內(nèi)存,Nor Flash存儲(chǔ)代碼。