深圳市貝樂實業(yè)股份有限公司

1. 主要應用領(lǐng)域（1）嵌入式系統(tǒng) & 微控制器（MCU）應用場景：作為高速緩存或主內(nèi)存，替代傳統(tǒng)SRAM（降低成本）或DRAM（簡化設(shè)計）。適用于RTOS（實時操作系統(tǒng)）下的數(shù)據(jù)緩沖，如傳感器數(shù)據(jù)暫存。典型產(chǎn)品：STM32H7系列（外接PSRAM擴展內(nèi)存）、ESP32（內(nèi)置PSRAM支持Wi-Fi/藍牙數(shù)據(jù)緩沖）。（2）移動設(shè)備 & 消費電子應用場景：智能手機/平板：輔助內(nèi)存（如低端機型中...

A、選擇PSRAM的核心場景1、低功耗需求:PSRAM的靜態(tài)功耗遠低于DDR，且無需頻繁刷新。適合電池供電設(shè)備(如智能手表、血糖儀、IoT傳感器)。2、簡化硬件設(shè)計:PSRAM接口類似SRAM，無需復雜的DDR控制器和PHY(物理層)設(shè)計。布線簡單，適合低層數(shù)PCB。適合資源有限的MCU系統(tǒng)、小型嵌入式模塊(如智能家居控制板)。3、實時性要求高:PSRAM的訪問延遲確定(類似SRAM)，而D...

PSRAM與Nor Flash的區(qū)別！存儲類型PSRAMNor FLASH工作原理基于電容存儲單元=1晶體管+1電容基于浮柵晶體管數(shù)據(jù)易失性易失性非易失性主要用途臨時數(shù)據(jù)存儲(運行內(nèi)存)長期存儲代碼、固件訪問方式支持高速隨機讀寫隨機讀取，按塊寫入/擦除接口復雜度簡單(類似SRAM)可能需要SPI、并行接口讀寫速度較快(10ns-20ns)讀取快，寫入/擦除慢(毫秒級)容量中等(幾十Mb~幾百...

PSRAM與SRAM、DRAM的區(qū)別！存儲類型SRAMPSRAMDRAM工作原理基于觸發(fā)器存儲單元-6個品體管基于電容存儲單元=1品體管+1電容基于電容存儲單元=1晶體管+1電容數(shù)據(jù)易失性易失性易失性易失性接口復雜度簡單簡單(類似SRAM)復雜(需行列地址復用)讀寫速度極快(ns)較快(10ns-20ns)較快(幾十ns)容量較小中等較大功耗高(靜態(tài)功耗)中等，介于SRAM和DRAM之間較高...

PSRAM工作原理①內(nèi)部結(jié)構(gòu)-DRAM架構(gòu):1T(晶體管)+1C(電容器)，可有效壓縮芯片體積，實現(xiàn)更大的存儲容量。-內(nèi)置刷新控制器:自動管理刷新操作，無需外部控制器干預，對外隱藏了DRAM的復雜性。②接口模擬SRAM-無外部刷新需求:外部處理器訪問PSRAM時，無需發(fā)送刷新指令，操作方式與SRAM完全一致(直接通過地址/數(shù)據(jù)總線讀寫)。③刷新機制: 自刷新模式，在空閑周期或低功耗模式下，P...

1、按接口類型①并行接口PSRAM特點：采用并行總線(如地址線+數(shù)據(jù)線)，支持高速數(shù)據(jù)傳輸。帶寬:可達 400MB/s(如16位總線，100MHz時鐘)應用:需要高帶寬的場景(如工業(yè)控制、圖形處理)。典型型號:APADMUXPSRAM。②串行接口PSRAMA:按位元數(shù)帶寬分類參數(shù)SPI pSRAMQPI pSRAMOPI pSRAMHPI pSRAM位元數(shù)帶寬Single bit(x1bit...

       愛普提供全面的HYPERRAM?/Octal xSPI RAM存儲器產(chǎn)品組合，密度范圍為16 Mb至512 Mb。憑借其獨特的高帶寬和低引腳數(shù)組合，HYPERRAM? 非常適合需要額外 RAM 進行數(shù)據(jù)密集型操作的各種IoT、汽車電子、工業(yè)控制等應用。這些能源經(jīng)濟型 pSRAM 也是電池供電的消費類和可穿戴設(shè)備的理想擴展存儲器選擇。特點；3 x 2 mm 的小封裝通過 xSP...

APS6404L 是 AP Memory（愛普科技）推出的一款 64Mb（8MB）Octal SPI PSRAM，采用 8線高速SPI接口，支持 最高144MHz時鐘頻率，適用于高性能嵌入式系統(tǒng)、IoT設(shè)備（如ESP32-S3）、AI邊緣計算等場景。1. 關(guān)鍵特性容量：64Mb（8M x 8bit）接口：Octal SPI（8線，支持DTR模式）時鐘頻率：標準SPI模式：最高50MHzOct...

?一、成本與容量平衡??低成本高密度?PSRAM采用類似DRAM的單晶體管+電容結(jié)構(gòu)，相比SRAM（需6晶體管）大幅降低單位存儲成本，同時保持比SRAM更高的存儲密度。例如，兆易創(chuàng)新的GD32E5系列MCU集成4MB PSRAM，顯著提升了MCU的內(nèi)存容量?。?對比SRAM?：SRAM成本高昂且容量受限，而PSRAM可實現(xiàn)更大容量（如幾MB至十幾GB）?。?對比DRAM?：雖容量略低，但省去...

1. 讀寫速度快快速響應傳感器數(shù)據(jù)：智能穿戴設(shè)備搭載眾多傳感器，如加速度計、陀螺儀、心率傳感器等，需實時處理大量數(shù)據(jù)。PSRAM 讀寫速度與 SRAM 相近，能快速響應傳感器數(shù)據(jù)讀取與寫入，確保數(shù)據(jù)及時處理，避免數(shù)據(jù)積壓。例如智能手表在記錄運動軌跡時，PSRAM 可讓主控芯片迅速獲取加速度計和陀螺儀數(shù)據(jù)，實時精準計算運動狀態(tài)。保障流暢交互體驗：用戶與智能穿戴設(shè)備交互頻繁，如觸摸屏幕、語音指令...

基本存儲原理PSRAM 本質(zhì)上基于 DRAM 技術(shù)，但通過內(nèi)部集成的控制器，使其在使用上表現(xiàn)得像 SRAM。DRAM 存儲原理基礎(chǔ)DRAM 以電容來存儲數(shù)據(jù)，電容充電表示邏輯 “1”，放電表示邏輯 “0”。然而，電容存在漏電問題，所以每隔一段時間就需要對電容進行刷新操作，以維持存儲的數(shù)據(jù)。PSRAM 的改進PSRAM 在 DRAM 的基礎(chǔ)上集成了刷新電路。這個刷新電路會自動對存儲單元進行刷新...

APS1604M-3SQR-SN芯片是一款由AP Memory Technology Corporation生產(chǎn)的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），專為物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備設(shè)計。該芯片以其低功耗、高性能和廣泛的工作溫度范圍，在嵌入式系統(tǒng)、智能設(shè)備以及可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域得到了廣泛應用。APS1604M-3SQR-SN芯片是一款偽靜態(tài)隨機存取存儲器（PSRAM），采用了先進的QSPI（四通道SPI）...

APS12808L-OBM-BA芯片，作為愛普科技（AP Memory）在PSRAM（偽靜態(tài)隨機存取存儲器）領(lǐng)域的一款杰出產(chǎn)品，自推出以來便以其卓越的性能、超低功耗以及大容量支持，在多個應用領(lǐng)域內(nèi)廣受好評。APS12808L-OBM-BA芯片是一款128Mb的PSRAM，它支持雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）OPI Xccela模式，這一特性使得其讀寫吞吐量高達266MB/s，遠超同類產(chǎn)品。該芯片采用...

提到PSRAM廠家，不得不提的是一些傳統(tǒng)的半導體巨頭。三星、海力士（Hynix）和美光（Micron）等公司在全球半導體市場中占據(jù)重要地位，其PSRAM產(chǎn)品也頗具競爭力。這些公司擁有先進的生產(chǎn)工藝和技術(shù)實力，能夠提供高質(zhì)量、高性能的PSRAM產(chǎn)品。三星和海力士在存儲器領(lǐng)域有著深厚的積累，其PSRAM產(chǎn)品在容量、速度、功耗等方面均表現(xiàn)出色，廣泛應用于智能手機、平板電腦等消費電子領(lǐng)域。美光則以其...

SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）SRAM是一種重要的隨機存取存儲器類型，全稱為Static Random-Access Memory，即靜態(tài)隨機存取存儲器。其顯著特點是，只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持，無需像DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）那樣周期性地刷新來保持數(shù)據(jù)。SRAM的存儲單元通常由六個晶體管構(gòu)成，這種結(jié)構(gòu)使得每個存儲單元可以存儲一個二進制位（0或1），并且能夠在不需要外部干...

APS1604M-3SQR-ZR是一款由AP Memory（愛普科技）生產(chǎn)的偽靜態(tài)隨機存取存儲器（PSRAM），其存儲容量為16Mb，采用Quad SPI（四通道串行外設(shè)接口）通信協(xié)議，支持SDR（單數(shù)據(jù)率）模式，最高時鐘頻率可達133MHz或84MHz（具體取決于工作模式）。該芯片采用USON8封裝形式，具有緊湊的尺寸和高效的電氣性能，非常適合于空間受限且對性能要求較高的應用場景。從技術(shù)規(guī)...

PSRAM的基本原理PSRAM，顧名思義，是一種結(jié)合了DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）特性的存儲器類型。它利用DRAM的存儲單元結(jié)構(gòu)來降低成本，同時通過內(nèi)置的刷新電路模擬SRAM的行為，從而無需像DRAM那樣頻繁地進行外部刷新操作。這種設(shè)計使得PSRAM既保持了DRAM的高密度和低價格優(yōu)勢，又具備了SRAM的高速訪問特性，非常適合于需要高速緩存和大容量存儲的嵌入...

誕生背景與初期發(fā)展PSRAM的誕生，是存儲技術(shù)發(fā)展的必然產(chǎn)物。在早期的計算機系統(tǒng)中，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）是兩種主要的存儲器類型。DRAM以其高密度、低成本的優(yōu)勢成為內(nèi)存的主流選擇，但其需要定期刷新以維持數(shù)據(jù)不丟失的特性，增加了系統(tǒng)設(shè)計的復雜性。而SRAM則無需刷新，直接通過內(nèi)部的晶體管鎖存電路保持數(shù)據(jù)，但其制造成本高昂，限制了其在大容量存儲中的應用。...

PSRAM芯片，即偽靜態(tài)隨機存取存儲器，作為一種結(jié)合了SRAM和DRAM優(yōu)勢的存儲解決方案，近年來在各類電子設(shè)備中得到了廣泛應用。特別是在AI眼鏡這一前沿科技產(chǎn)品中，PSRAM芯片的應用不僅提升了設(shè)備的性能，還為AI眼鏡的多功能實現(xiàn)提供了堅實的基礎(chǔ)。PSRAM，全稱Pseudo Static RAM，是一種結(jié)合了SRAM的接口簡單和DRAM的高容量優(yōu)點的存儲器件。相比于SRAM，PSRAM在...

智能穿戴設(shè)備中 PSRAM 存儲芯片 APS6404L-SQR-ZR 的應用與優(yōu)勢一、智能穿戴設(shè)備的發(fā)展歷程智能穿戴設(shè)備從最初的單一手環(huán)步數(shù)功能，發(fā)展到如今具備支付、血氧、心率、運動數(shù)據(jù)等豐富功能。在這個發(fā)展過程中，技術(shù)的不斷進步使得設(shè)備的功能越來越強大，對硬件的要求也越來越高。二、高清屏智能手表的特點高清屏智能手表是智能穿戴設(shè)備中的亮點產(chǎn)品，其屏幕部門尤為突出。微曲超大 AOLED 屏幕提...