快速響應(yīng)傳感器數(shù)據(jù):智能穿戴設(shè)備搭載眾多傳感器,如加速度計(jì)、陀螺儀、心率傳感器等,需實(shí)時(shí)處理大量數(shù)據(jù)。PSRAM 讀寫速度與 SRAM 相近,能快速響應(yīng)傳感器數(shù)據(jù)讀取與寫入,確保數(shù)據(jù)及時(shí)處理,避免數(shù)據(jù)積壓。例如智能手表在記錄運(yùn)動軌跡時(shí),PSRAM 可讓主控芯片迅速獲取加速度計(jì)和陀螺儀數(shù)據(jù),實(shí)時(shí)精準(zhǔn)計(jì)算運(yùn)動狀態(tài)。
保障流暢交互體驗(yàn):用戶與智能穿戴設(shè)備交互頻繁,如觸摸屏幕、語音指令等。PSRAM 快速讀寫能力使設(shè)備能快速響應(yīng)指令,實(shí)現(xiàn)流暢交互。像智能手環(huán)接收到用戶語音指令查詢天氣時(shí),PSRAM 能迅速從存儲區(qū)域讀取相關(guān)程序和數(shù)據(jù),快速呈現(xiàn)天氣信息。
滿足續(xù)航需求:智能穿戴設(shè)備通常依靠電池供電,續(xù)航能力至關(guān)重要。PSRAM 雖需動態(tài)刷新,但相比 SRAM,集成刷新電路,無需外部頻繁刷新操作,整體功耗較低。以智能手表為例,較低功耗可使電池續(xù)航時(shí)間延長,減少用戶充電頻率,提升使用便利性。
成本相對較低:智能穿戴設(shè)備市場競爭激烈,成本控制關(guān)鍵。PSRAM 基于 DRAM 技術(shù),與 SRAM 相比,單位存儲容量成本更低,可降低設(shè)備制造成本,提高產(chǎn)品性價(jià)比,增強(qiáng)市場競爭力。
占用空間小:智能穿戴設(shè)備追求小型化、輕薄化,對元器件尺寸要求嚴(yán)格。PSRAM 可在較小芯片面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)較高存儲密度,占用印刷電路板(PCB)空間小,為其他組件留出更多空間,利于設(shè)備緊湊設(shè)計(jì)。
簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì):智能穿戴設(shè)備主控芯片資源有限,PSRAM 接口類似 SRAM,簡單易用,無需復(fù)雜外部電路和控制邏輯,降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度與復(fù)雜度,縮短產(chǎn)品研發(fā)周期,加快產(chǎn)品上市速度。
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