AP MEMORY(愛普)-PSRAM

        愛普提供全面的HYPERRAM?/Octal xSPI RAM存儲器產(chǎn)品組合，密度范圍為16 Mb至512 Mb。憑借其獨特的高帶寬和低引腳數(shù)組合，HYPERRAM? 非常適合需要額外 RAM 進行數(shù)據(jù)密集型操作的各種IoT、汽車電子、工業(yè)控制等應用。這些能源經(jīng)濟型 pSRAM 也是電池供電的消費類和可穿戴設備的理想擴展存儲器選擇。

特點；

• 3 x 2 mm 的小封裝

• 通過 xSPI/HYPERBUS?減少引腳數(shù)

• 通過混合休眠模式實現(xiàn)節(jié)能高效

• 高達 4266MB 的高帶寬

• HYPERFLASH? 加上 HYPERRAM? 作為 MCP

• 可擴展密度高達 512 Mb

• 溫度最高可達 105°C

• 廣泛的生態(tài)系統(tǒng)支持

  HYPERRAM?   - 偽靜態(tài)RAM（pSRAM）技術

  HYPERRAM?是一款高速CMOS，自刷新DRAM，具有HYPERBUS?接口。它的存儲器陣列內(nèi)部結構類似于 DRAM，但在外部卻像 SRAM 一樣運作。

  DRAM 陣列需要定期刷新才能保持數(shù)據(jù)完整性。當主機未主動讀取或寫入內(nèi)存時，HYPERRAM? 在內(nèi)部管理 DRAM 陣列上的刷新操作。由于不需要主機管理任何刷新操作，因此在主機看來，DRAM 陣列就像靜態(tài)單元，無需刷新即可保留數(shù)據(jù)。因此，HYPERRAM?被描述為偽靜態(tài)RAM（pSRAM）。

  這些低功耗、高性能和低引腳數(shù)的 pSRAM 適用于需要額外 RAM 來緩沖數(shù)據(jù)、音頻、圖像、視頻的應用程序，或者用作數(shù)學和數(shù)據(jù)密集型操作的便箋的應用程序。

  • 密度：16 Mb、32 Mb、64 Mb、128 Mb、256 Mb、512 Mb

  • 接口：HyperBus?(x8)、Octal xSPI(x4 x8) 和HyperBus? Extended I/O (x16)

  • 主要特性：

    • 外形小巧 – SOP封裝確保了較小的占板空間

    • 低引腳數(shù) – 低引腳數(shù)有助于簡化設計并降低系統(tǒng)成本

    • 低功耗 – 混合睡眠模式和部分陣列刷新可提高能效

    • 高吞吐量 – 高讀/寫帶寬能最大限度地提高系統(tǒng)性能

      APMemory愛普 pSRAM 選型表_20250627165842.pdf