PSRAM 是什么？

1.PSRAM是什么？               

       PSRAM，全稱 偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，它是采用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的工藝和技術(shù)，實(shí)現(xiàn)類似于靜 態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器一樣的存儲(chǔ)器件。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器采用6T架構(gòu)，而動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器采用1T（晶體管）1C（電容器）架構(gòu)，因此，同樣的體積，PSRAM的容量可以做得更大，相對(duì)價(jià)格更低。

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2.什么情形下會(huì)使用到PSRAM?為什么會(huì)使用PSRAM?

①PSRAM對(duì)于要求有一定緩存容量的眾多便攜式產(chǎn)品是一個(gè)理想的選擇;尤其是數(shù)據(jù)密集、突發(fā)存取、涉及數(shù)據(jù)算法(如FFT、DFT等等)的應(yīng)用

②PSRAM既具有SRAM電路接口簡潔的優(yōu)點(diǎn)，又具備DRAM容量大的特點(diǎn)，同時(shí)將刷新電路集成進(jìn)芯片內(nèi)部，兼具SRAM的簡單易用、DRAM的較大容量的優(yōu)點(diǎn);得到廣大工程師與客戶的支持與認(rèn)可，并廣泛使用;

③傳統(tǒng)PSRAM是平行接口的，需要消耗較多MCU/SoC的I/O管腳資源。IPUS推出了支持SPI/QSPI接口的串行PSRAM，為沒有并行RAM擴(kuò)展接口的MCU/SoC提供了內(nèi)存擴(kuò)展方式。

3.PSRAM與DRAM/SRAM的優(yōu)勢是什么?

與靜態(tài)存儲(chǔ)器的比較

①與SRAM(采用6T的技術(shù))相比,PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),PSRAM容量比SRAM大很多，體積更為輕巧;

②PSRAM價(jià)格比SRAM便宜很多，售價(jià)更具有競爭力;

③PSRAM的I/O接口協(xié)議與SRAM相同;

與DRAM的比較

①PSRAM采用的是自行刷新(Self-Refresh)，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù);而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，

否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此PSRAM具有更高的性能;

②PSRAM擁有比DRAM更簡化的數(shù)據(jù)存取接口;

4.PSRAM適用的接口都有哪些?

PSRAM主要適用的接口包括SPI、Quad SPI、Octal SPI等;

基于上述分析，psram相比傳統(tǒng)存儲(chǔ)器具有如下優(yōu)點(diǎn)：

1 更大的帶寬：串行psram通過八路串行接口對(duì)外互聯(lián)，最高在200MHz Double-Data-Rate速率下，可實(shí)現(xiàn)超3Gbps的帶寬傳輸；

2 更高的容量：目前可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)容量有：32M、64M、256M，這比市面上其他串行接口隨機(jī)存儲(chǔ)器的容量要大很多；

3 更低的成本：串行psram采用DRAM架構(gòu)，可以有效壓縮芯片體積，故串行psram生產(chǎn)成本接近DRAM成本；

4 更小的尺寸：串行psram的低引腳數(shù)封裝與傳統(tǒng)的RAM存儲(chǔ)相比，具有尺寸更小、成本更低等優(yōu)勢；

5 更廣的應(yīng)用：psram采用的是自行刷新（Self-Refresh），不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此psram相比傳統(tǒng)RAM會(huì)有更廣的應(yīng)用；