Cascadeteq凱芯科技股份有限公司，從事標(biāo)準(zhǔn)型記憶體和客製化晶片的研發(fā)、設(shè)計(jì)、製造與銷售，目前為全球低腳位標(biāo)準(zhǔn)型記憶體(LPC pSRAM)IC設(shè)計(jì)之領(lǐng)導(dǎo)廠商。 公司總部立於臺(tái)灣新竹，並於美國(guó)、中國(guó)大陸設(shè)有研發(fā)及銷售據(jù)點(diǎn)。以獨(dú)特創(chuàng)新的技術(shù)，獨(dú)步全球?yàn)榭蛻籼峁└咝阅艿腖PC（Low Pin Count）pSRAM兼具省電性能，多樣性，彈性設(shè)計(jì)，極小型化，容易使用，有限的縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程，提供客戶新產(chǎn)品及時(shí)上市的優(yōu)勢(shì)。

       存儲(chǔ)器PSRAM(pseudo SRAM)，稱之為偽靜態(tài)隨機(jī)存取器。它具有SRAM的接口協(xié)議：給出地址、讀寫指令，就可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存取；相比DRAM的實(shí)現(xiàn)，它不需要復(fù)雜的memory controller來(lái)控制內(nèi)存單元去定期刷新數(shù)據(jù)，但是它的內(nèi)核架構(gòu)卻是DRAM架構(gòu)；傳統(tǒng)的SRAM是由6個(gè)晶體管構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)cell，而psram則是由1個(gè)晶體管+一個(gè)電容構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)cell，因此psram可以實(shí)現(xiàn)較大的存儲(chǔ)容量；

基于上述分析，新出現(xiàn)的存儲(chǔ)器psram相比傳統(tǒng)存儲(chǔ)器具有如下優(yōu)點(diǎn)：

1. 更大的帶寬：串行psram通過(guò)八路串行接口對(duì)外互聯(lián)，最高在200MHz Double-Data-Rate速率下，可實(shí)現(xiàn)超3Gbps的帶寬傳輸；

2. 更高的容量：目前可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)容量有：32M、64M、256M，這比市面上其他串行接口隨機(jī)

存儲(chǔ)器的容量要大很多；

3. 更低的成本：串行psram采用DRAM架構(gòu)，可以有效壓縮芯片體積，故串行psram生產(chǎn)成本接近DRAM成本；

4. 更小的尺寸：串行psram的低引腳數(shù)封裝與傳統(tǒng)的RAM存儲(chǔ)相比，具有尺寸更小、成本更低等優(yōu)勢(shì)；

5. 更廣的應(yīng)用：psram采用的是自行刷新（Self-Refresh），不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此psram相比傳統(tǒng)RAM會(huì)有更廣的應(yīng)用；

PSRAM作為常用的一種外設(shè)存儲(chǔ)設(shè)備，所具有的優(yōu)點(diǎn)使其廣泛被應(yīng)用。